Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

частина: 1386

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

Список побажань
IRLR2905TRLPBF

IRLR2905TRLPBF

частина: 165150

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Список побажань
IRFU3607PBF

IRFU3607PBF

частина: 40268

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Список побажань
IRF6898MTR1PBF

IRF6898MTR1PBF

частина: 1392

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), 213A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 35A, 10V,

Список побажань
IPI50R299CPXKSA1

IPI50R299CPXKSA1

частина: 30953

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

Список побажань
IRFI540NPBF

IRFI540NPBF

частина: 41424

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
IRF6894MTR1PBF

IRF6894MTR1PBF

частина: 1349

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 160A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 33A, 10V,

Список побажань
IPD60R520CPBTMA1

IPD60R520CPBTMA1

частина: 1477

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Список побажань
IPW65R660CFDFKSA1

IPW65R660CFDFKSA1

частина: 42282

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Список побажань
IPI65R420CFDXKSA1

IPI65R420CFDXKSA1

частина: 64557

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Список побажань
IPN70R750P7SATMA1

IPN70R750P7SATMA1

частина: 9964

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Список побажань
IPI80N04S4L04AKSA1

IPI80N04S4L04AKSA1

частина: 96724

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

Список побажань
IPB052N04NGATMA1

IPB052N04NGATMA1

частина: 1431

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 70A, 10V,

Список побажань
IRFB7530PBF

IRFB7530PBF

частина: 22543

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Список побажань
IPD250N06N3GBTMA1

IPD250N06N3GBTMA1

частина: 1440

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V,

Список побажань
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

частина: 6170

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Список побажань
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

частина: 18377

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 88A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V,

Список побажань
IRLH7134TR2PBF

IRLH7134TR2PBF

частина: 1435

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), 85A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Список побажань
IRFB7540PBF

IRFB7540PBF

частина: 42181

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

Список побажань
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

частина: 1437

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V,

Список побажань
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

частина: 1389

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 70A, 10V,

Список побажань
IPA65R600C6XKSA1

IPA65R600C6XKSA1

частина: 76264

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Список побажань
IRFR48ZTRLPBF

IRFR48ZTRLPBF

частина: 132108

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Список побажань
IPP65R380C6XKSA1

IPP65R380C6XKSA1

частина: 59867

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Список побажань
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

частина: 1417

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.1A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Список побажань
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

частина: 1417

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

Список побажань
IPI50R250CPXKSA1

IPI50R250CPXKSA1

частина: 48805

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Список побажань
IPB65R280C6ATMA1

IPB65R280C6ATMA1

частина: 56772

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Список побажань
IPB65R190C6ATMA1

IPB65R190C6ATMA1

частина: 45430

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Список побажань
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

частина: 33910

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Список побажань
IPP100N04S4H2AKSA1

IPP100N04S4H2AKSA1

частина: 80220

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Список побажань
IPB60R520CPATMA1

IPB60R520CPATMA1

частина: 6152

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Список побажань
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

частина: 9929

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 950V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,

Список побажань
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

частина: 1439

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V,

Список побажань
IRFSL4410ZPBF

IRFSL4410ZPBF

частина: 23253

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 97A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Список побажань
IPB65R420CFDATMA1

IPB65R420CFDATMA1

частина: 1398

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Список побажань