Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 59A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 24V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 114A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 68A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 57A (Ta), 545A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6 mOhm @ 195A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Ta), 345A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Ta), 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 11A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 137A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 85A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 13A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 128A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 77A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,
