Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 1

HTNFET-D

частина: 199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Список побажань

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

частина: 199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Список побажань

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

частина: 211

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Список побажань

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

частина: 199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Список побажань