Діоди - мостові випрямлячі | Дискретні напівпровідникові вироби | 1

GHXS010A060S-D1

частина: 2081

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 600V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1

частина: 537

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 45A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 45A, Струм - зворотний витік @ Vr: 300µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1E

частина: 534

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 45A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 45A, Струм - зворотний витік @ Vr: 300µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

частина: 1190

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 15A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1

частина: 1154

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 15A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 15A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1

частина: 1478

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Струм - зворотний витік @ Vr: 200µA @ 600V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1

частина: 1214

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 600V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

частина: 658

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Струм - зворотний витік @ Vr: 200µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1E

частина: 720

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 1.2kV, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Струм - зворотний витік @ Vr: 200µA @ 1200V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1E

частина: 1471

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 20A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 20A, Струм - зворотний витік @ Vr: 200µA @ 600V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

частина: 2062

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 10A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 600V,

Список побажань

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1E

частина: 1161

Тип діода: Single Phase, Технологія: Silicon Carbide Schottky, Напруга - пік, зворотний (макс.): 600V, Струм - середній випрямлений (Io): 30A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.7V @ 30A, Струм - зворотний витік @ Vr: 100µA @ 600V,

Список побажань