Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.9A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.7A (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 2.7V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 280mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 380mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240mA (Ta), Приводна напруга: 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 260mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 4.5A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.8A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.65A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 400mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 197mA (Ta), Приводна напруга: 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 590mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.4A (Ta), 98A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V,
