Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 140mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 450mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180mA (Ta), Приводна напруга: 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 280mA (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 2.7V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 240V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A (Ta), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 14A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 240V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.2A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.6A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 5.8A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.2A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.1A (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.5A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), 6A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.6A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 3.2A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,
