Пам'ять

CY7C1521KV18-250BZXC

частина: 750

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1263KV18-550BZXC

частина: 891

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 550MHz,

CY7C1361B-100BGC

частина: 4640

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 100MHz,

CY7C2170KV18-550BZXC

частина: 1076

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 550MHz,

CY7C1362B-166BGC

частина: 4679

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

CY7C2270XV18-600BZXC

частина: 857

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 600MHz,

CY14B108L-ZS45XI

частина: 1158

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY14B116M-BZ45XI

частина: 852

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C1514KV18-250BZC

частина: 805

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY14B116N-Z45XI

частина: 1128

CY7C1520KV18-250BZCT

частина: 759

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1525KV18-250BZCT

частина: 200

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (8M x 9), Тактова частота: 250MHz,

CY7C2268XV18-600BZXC

частина: 823

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 600MHz,

CY7C1386D-167AXC

частина: 2221

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C131-55JXC

частина: 9566

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY7C2264XV18-450BZXC

частина: 962

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 450MHz,

CY7C1460AV25-167AXC

частина: 1298

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C0251-15AXC

частина: 9000

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 144Kb (8K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1513KV18-250BZC

частина: 710

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C018-15AC

частина: 962

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 576Kb (64K x 9), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1262XV18-450BZXC

частина: 836

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 450MHz,

CY7C1480BV25-167BZXC

частина: 686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C131-25NXC

частина: 9545

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1021CV33-15ZXC

частина: 9405

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C199C-12VXC

частина: 9663

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

CY7C1515KV18-250BZI

частина: 802

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C024-15AXC

частина: 1937

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY14V116G7-BZ30XI

частина: 970

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 30ns,

CY7C1021CV33-15VXC

частина: 9428

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C2264XV18-366BZXC

частина: 284

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 366MHz,

CY7C1512KV18-250BZCT

частина: 843

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1525KV18-250BZXIT

частина: 752

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 72Mb (8M x 9), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1268XV18-633BZXC

частина: 897

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 633MHz,

CY7C2165KV18-550BZC

частина: 1136

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 550MHz,

CY7C1399B-15ZXC

частина: 6090

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C245A-18WMB

частина: 4748

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EPROM, Технологія: EPROM - UV, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8),