Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

CY7C1046CV33-12VXC

частина: 3899

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (1M x 4), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C024-25AXCT

частина: 1728

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C09179V-6AXC

частина: 2438

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 288Kb (32K x 9), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1009B-15VXCT

частина: 2992

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021CV26-15ZXE

частина: 5368

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1019CV33-12ZXC

частина: 3035

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1020B-15ZXCT

частина: 3071

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021BN-15VXC

частина: 3387

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY62256NL-70PXC

частина: 5190

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021CV33-15ZXI

частина: 3677

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1007BN-15VXCT

частина: 2904

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (1M x 1), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021CV33-10ZXIT

частина: 3610

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CYPT1542AV18-250GCMB

частина: 27

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021B-15VXI

частина: 3218

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY6264-55SNXCT

частина: 1511

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021BN-12VXCT

частина: 3292

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY62137CV30LL-55BVXIT

частина: 1130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C027V-25AXI

частина: 2145

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 512Kb (32K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY62256L-70SNXCT

частина: 1212

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021B-12VXCT

частина: 3134

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C025AV-25AXI

частина: 2046

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 128Kb (8K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C036AV-25AXC

частина: 2279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 288Kb (16K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY62256LL-70ZXI

частина: 1320

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C057V-15AXI

частина: 718

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1.152Mb (32K x 36), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021CV33-12ZXCT

частина: 3686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C09369V-6AXC

частина: 2689

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 288Kb (16K x 18), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021CV33-10ZXI

частина: 3591

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021BN-15VXI

частина: 3435

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C026A-20AXCT

частина: 2120

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (16K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C024-55AXC

частина: 1819

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1041DV33-10VXI

частина: 3830

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021B-12VXI

частина: 3147

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C09389V-6AXC

частина: 2746

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 1.152Mb (64K x 18), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1021BN-15VXIT

частина: 3404

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1612KV18-333BZC

частина: 313

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 144Mb (8M x 18), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань

Cypress Semiconductor Corp

CY7C25632KV18-500BZXC

частина: 349

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 72Mb (4M x 18), Тактова частота: 500MHz,

Список побажань