Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 460MHz, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 3A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 250mA, 1A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 22.5dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 600mA,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 12GHz, Посилення: 13.7dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 15mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 2GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.45dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 2GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 60mA, Фігура шуму: 0.4dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 20GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.65dB,
Транзисторний тип: N-Channel GaAs HJ-FET, Частота: 12GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 60mA, Фігура шуму: 0.65dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 12dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.45dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 4GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 97mA, Фігура шуму: 0.45dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 2GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.3dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 15mA, Фігура шуму: 0.5dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 3A,
Транзисторний тип: N-Channel GaAs HJ-FET, Частота: 20GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.85dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 15mA, Фігура шуму: 0.35dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 12.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 88mA, Фігура шуму: 0.3dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 20GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.75dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 3A,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 20GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.7dB,
Транзисторний тип: MESFET Dual Gate, Частота: 900MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 5V, Поточний рейтинг: 40mA, Фігура шуму: 1.1dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 915MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 3.2V, Поточний рейтинг: 1.5A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 900MHz, Посилення: 23.5dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 600mA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 2.1A,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 1.9GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 3.5V, Поточний рейтинг: 2.8A,
