Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 2.4V, 2.7V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 35V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 30V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10.8V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 7V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10.8V ~ 13.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 9V ~ 14V, Логічна напруга - VIL, VIH: 4V, 7V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: 3-Phase, Кількість водіїв: 6, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 15V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4V ~ 7V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.25V, 2.4V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 4, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 15V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 18V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 8, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.5V ~ 16.5V, Логічна напруга - VIL, VIH: 1V, 4V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 4.6V ~ 13.2V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: High-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: IGBT, N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 10V ~ 20V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Independent, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 8V ~ 12.6V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Керована конфігурація: Low-Side, Тип каналу: Single, Кількість водіїв: 1, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 6.5V ~ 28V,
Керована конфігурація: Half-Bridge, Тип каналу: Synchronous, Кількість водіїв: 2, Тип воріт: N-Channel MOSFET, Напруга - живлення: 5V ~ 12V, Логічна напруга - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
