Ізолятори - Драйвери воріт | Ізолятори | 41

SI8230BB-B-IS1

частина: 8019

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8273AB-IM1R

частина: 7905

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 200kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 75ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 8ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8273AB-IM1

частина: 8107

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 200kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 75ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 8ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8231AB-B-IS

частина: 8110

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8232BB-B-IS

частина: 7773

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8261BAD-C-IMR

частина: 29908

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 28ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8230BD-B-ISR

частина: 7894

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8231BB-B-ISR

частина: 7665

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8231BD-B-ISR

частина: 8872

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8261ACD-C-IMR

частина: 32944

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 28ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8282BD-IS

частина: 17860

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 50ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8235-B-IS

частина: 7846

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8236BB-D-IM

частина: 8862

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2,

До побажання

Silicon Labs

SI8235BB-C-IS1

частина: 7667

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8237BD-B-ISR

частина: 8814

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8220DD-A-ISR

частина: 7477

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 30kV/µs (Typ), Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 40ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8234BB-C-IS

частина: 7369

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8233BB-C-ISR

частина: 7368

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8275AB-IM1R

частина: 7340

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 200kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 75ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 8ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8284CD-IS

частина: 16173

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 50ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8273AB-IMR

частина: 30282

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 150kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 8ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8261AAD-C-IMR

частина: 32956

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 28ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8261BCA-C-IS

частина: 67763

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 1, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 35kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 50ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 10ns (Typ),

До побажання

Silicon Labs

SI8233BB-C-IMR

частина: 7332

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8232BB-B-IS1

частина: 7518

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8236BB-D-IMR

частина: 7362

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2,

До побажання

Silicon Labs

SI8274GB1-IM

частина: 27577

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 150kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 19ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8235AB-C-ISR

частина: 7582

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8233AD-C-IS

частина: 7107

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8232BD-B-ISR

частина: 7249

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8274AB4D-IMR

частина: 30351

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 200kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 105ns, 75ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 47ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8274AB1-IM

частина: 27543

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 150kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 19ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8231AB-B-IS1R

частина: 6972

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8234AB-C-IM

частина: 6675

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 20kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 60ns, 60ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 5.6ns,

До побажання

Silicon Labs

SI8273ABD-IM

частина: 27595

Технологія: Capacitive Coupling, Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 200kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 75ns, 75ns, Спотворення ширини імпульсу (макс.): 8ns,

До побажання

Sharp Microelectronics

PC923L0YSZ0F

частина: 3206

Технологія: Optical Coupling, Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Перехідний імунітет у загальному режимі (хв.): 15kV/µs, Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.): 500ns, 500ns,

До побажання