Магнітні датчики - лінійні, компас (ІС)

DRV5055A1QDBZT

частина: 4045

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±21mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053VAEDBZTQ1

частина: 157999

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±9mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053PAQDBZT

частина: 182566

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5055A2QLPG

частина: 4725

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±42mT, ±44mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053RAQDBZT

частина: 91260

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5055A4QLPG

частина: 5043

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±169mT, ±176mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053OAQDBZT

частина: 91279

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±73mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5056A2QLPGM

частина: 9926

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±39mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053CAQLPG

частина: 11155

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5056A3QLPGM

частина: 9986

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±79mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV425RTJT

частина: 18335

Технологія: Fluxgate, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±2mT, Напруга - живлення: 3V ~ 5.5V,

DRV5055A2QDBZR

частина: 9983

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±42mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053PAQDBZRQ1

частина: 178101

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053OAQDBZRQ1

частина: 178070

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±73mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053PAQDBZR

частина: 114378

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5056A4QLPGM

частина: 9902

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±158mT, Напруга - живлення: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

DRV5053CAQLPGMQ1

частина: 11251

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±35mT, Напруга - живлення: 2.5V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

DRV5053RAELPGMQ1

частина: 139178

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: ±18mT, Напруга - живлення: 2.7V ~ 38V, Струм - живлення (макс.): 3.6mA,

SI7210-B-00-IV

частина: 57231

SI7210-B-04-IVR

частина: 67567

SI7212-B-00-IVR

частина: 62934

MLX90254LVA-BBA-000-BU

частина: 18507

Технологія: Hall Effect, Тип виходу: Open Drain, Діапазон зондування: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Напруга - живлення: 4V ~ 24V, Струм - живлення (макс.): 12mA,

MLX90363KGO-ABB-000-TU

частина: 6352

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 15.5mA,

MLX90363EDC-ABB-000-TU

частина: 14848

Технологія: Hall Effect, Вісь: X, Y, Z, Тип виходу: SPI, Діапазон зондування: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 15.5mA,

MLX90215EVA-AAA-106-BU

частина: 16440

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 5.5V, Струм - живлення (макс.): 6.5mA,

HW322-B-15-F

частина: 36116

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Струм - живлення (макс.): 20mA,

KMZ41,118

частина: 71407

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 5V ~ 9V,

HAL2420UT-A

частина: 51242

HAL2455UT-A

частина: 49779

HMC1002-TR

частина: 4107

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: X, Y, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.2mT, Напруга - живлення: 5V ~ 12V,

HMC1021S-TR

частина: 20174

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.6mT, Напруга - живлення: 2V ~ 25V,

HMC1001-RC

частина: 3747

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Wheatstone Bridge, Діапазон зондування: ±0.2mT, Напруга - живлення: 5V ~ 12V,

OHS3150U

частина: 38546

Технологія: Hall Effect, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: Unlimited, Напруга - живлення: 4.5V ~ 6V, Струм - живлення (макс.): 10mA,

G-MRCO-017

частина: 66935

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 5V ~ 30V,

G-MRCO-001

частина: 40414

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Напруга - живлення: 5V, Струм - живлення (макс.): 9mA,

RR110-A111-00

частина: 61608

Технологія: Magnetoresistive, Вісь: Single, Тип виходу: Analog Voltage, Діапазон зондування: 1mT ~ 7mT, Напруга - живлення: 15V, Струм - живлення (макс.): 1mA,