Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

71T75802S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S133BGI8

частина: 3275

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
71T75602S150BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S150BGI8

частина: 3265

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 150MHz,

До побажання
71T75802S150BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S150BGGI8

частина: 3291

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 150MHz,

До побажання
71T75602S150BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S150BGGI8

частина: 3255

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 150MHz,

До побажання
71T75802S150BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S150BGI8

частина: 3281

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 150MHz,

До побажання
71T75802S133BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S133BGGI8

частина: 3264

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
71T75602S100BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S100BGGI8

частина: 3305

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 100MHz,

До побажання
71T75602S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S133BGI8

частина: 3306

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
71T75902S75PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75902S75PFGI8

частина: 3279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18),

До побажання
70V25S25PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V25S25PFGI8

частина: 3320

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 128Kb (8K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
71256L25TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L25TDB

частина: 3273

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
71256S85TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S85TDB

частина: 3284

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

До побажання
71256S35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S35TDB

частина: 3294

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
71256S100TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S100TDB

частина: 3309

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

До побажання
71256L55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L55TDB

частина: 3324

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
71256S25TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S25TDB

частина: 3340

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
71256L85TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L85TDB

частина: 3280

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

До побажання
71256S45TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S45TDB

частина: 3262

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

До побажання
71256L35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L35TDB

частина: 3255

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
71256S55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S55TDB

частина: 3289

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
71256S70TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256S70TDB

частина: 3252

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

До побажання
71256L70TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L70TDB

частина: 3344

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

До побажання
71256L100TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L100TDB

частина: 3306

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 100ns,

До побажання
71256L45TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

71256L45TDB

частина: 3304

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

До побажання
70V05S25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

70V05S25PF

частина: 3280

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
7005S35PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

7005S35PFG

частина: 3372

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 35ns,

До побажання
71T75802S166BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S166BGG8

частина: 3362

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
71T75802S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75802S166BG8

частина: 3335

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
7133LA25PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7133LA25PFGI

частина: 3130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
71T75602S133PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S133PFGI8

частина: 3353

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

До побажання
71T75602S150PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71T75602S150PFGI8

частина: 3373

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous ZBT, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 150MHz,

До побажання
71V67803S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V67803S166BG

частина: 3421

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 166MHz,

До побажання
71V321L55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55JI

частина: 893

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

До побажання
71V30VL90TF/2932
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V30VL90TF/2932

частина: 880

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Kb (1K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

До побажання
7142SA25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc

7142SA25JI

частина: 3181

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

До побажання
7143LA90J/S2418
IDT, Integrated Device Technology Inc

7143LA90J/S2418

частина: 836

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (2K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

До побажання